[发明专利]一种具有抗反射功能的EML芯片结构及制备方法在审
| 申请号： | 202210646936.6 | 申请日： | 2022-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN114725772A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 张海超;李马惠;师宇晨;穆瑶;王兴 | 申请（专利权）人： | 陕西源杰半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/0625 | 分类号： | H01S5/0625;H01S5/12;H01S5/343 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 张宇鸽 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市西咸*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开具有抗反射功能的EML芯片结构及制备方法，包括：从下至上依次堆叠的N面电极、InP衬底、光栅层、光栅覆盖层和导电覆盖层；N面电极、高反射镀膜层、抗反射镀膜层和导电覆盖层形成封闭空间；高反射镀膜层和抗反射镀膜层相对设立；N面电极和导电覆盖层设置在高反射镀膜层和抗反射镀膜层之间，相互远离的两端；DFB量子阱和EAM量子阱位于InP衬底上；DFB量子阱上有光栅层，光栅覆盖层覆盖在DFB量子阱上；导电覆盖层覆盖在光栅覆盖层上；DFB光源电极、EAM吸收电极和光隔离区电极设置在导电覆盖层的上表面；第一隔离区、第二隔离区和第三隔离区位于导电覆盖层内部。本发明有易操作，改善效果显著等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 反射 功能 eml 芯片 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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