[发明专利]调整源极/漏极区域的轮廓以减少泄漏在审
| 申请号： | 202210636369.6 | 申请日： | 2022-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN115440791A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 郭紫微;杨咏竣;温政彦;舒丽丽;杨育佳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/417;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 陈蒙 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开总体涉及调整源极/漏极区域的轮廓以减少泄漏。一种方法包括：形成包括多个牺牲层和多个纳米结构的突出半导体堆叠，其中多个牺牲层与多个纳米结构交替布置。该方法还包括在突出半导体堆叠上形成虚设栅极结构，蚀刻突出半导体堆叠以形成源极/漏极凹部，以及在源极/漏极凹部中形成源极/漏极区域。源极/漏极区域的形成包括生长第一外延层。第一外延层生长在多个纳米结构的侧壁上，并且第一外延层中的每一个的横截面具有四边形形状。第一外延层具有第一掺杂浓度。源极/漏极区域的形成还包括在第一外延层上生长第二外延层。第二外延层具有高于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 调整 区域 轮廓 减少 泄漏 | ||
【主权项】：
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