[发明专利]一种倒装结构的紫外探测器芯片

摘要

本发明涉及紫外探测器技术领域，尤其涉及一种倒装结构的紫外探测器芯片。本发明提供的紫外探测器芯片，包括由下到上依次设置的支架、电极和倒装的AlGaN基外延结构；所述电极包括N电极和P电极；所述紫外探测器芯片的上表面和四个侧面均设置有增透膜。本发明通过在所述紫外探测器芯片的上表面设置增透膜，可以减少紫外线在界面的反射，提高紫外线进入材料体的概率，提升紫外探测器芯片对紫外线吸收的效率，从而提升紫外探测芯片对紫外线的响应度；同时，所述紫外探测器芯片的四个侧壁也会有被紫外线照射的可能，侧壁设置增透膜也可达到提升紫外探测器芯片对紫外线吸收的效率，进而提升紫外探测芯片对紫外线的响应度。