[发明专利]一种倒装结构的紫外探测器芯片

权利要求书

1.一种倒装结构的紫外探测器芯片，其特征在于，包括由下到上依次设置的支架、电极和倒装的AlGaN基外延结构；

所述电极包括N电极和P电极；

所述紫外探测器芯片的上表面和四个侧面均设置有增透膜。

2.如权利要求1所述倒装结构的紫外探测器芯片，其特征在于，所述增透膜的折射率在所述紫外探测器芯片的上表面的折射率和空气的折射率之间。

3.如权利要求2所述倒装结构的紫外探测器芯片，其特征在于，所述增透膜的材料为SiO₂或Si_xN；x的取值范围为0~1。

4.如权利要求1~3任一项所述倒装结构的紫外探测器芯片，其特征在于，所述增透膜的厚度为20~200nm。

5.如权利要求1所述倒装结构的紫外探测器芯片，其特征在于，所述N电极和P电极在所述AlGaN基外延结构的表面对角设置，所述N电极和P电极不接触。

6.如权利要求5所述倒装结构的紫外探测器芯片，其特征在于，所述N电极和P电极之间通过隔离材料隔离。

7.如权利要求6所述倒装结构的紫外探测器芯片，其特征在于，所述N电极的面积占所述AlGaN基外延结构的表面积的百分比≤10%。

8.如权利要求7所述倒装结构的紫外探测器芯片，其特征在于，所述N电极的材料包括Ti、Al、Ni、Au和Cr中的一种或几种；

所述P电极的材料包括ITO、Ni、Au和Al中的一种或几种。

9.如权利要求1所述倒装结构的紫外探测器芯片，其特征在于，所述AlGaN基外延结构包括由下到上依次层叠设置的衬底层、非掺杂AlGaN半导体缓冲层、非掺杂AlGaN半导体材料层、N型AlGaN接触层、非掺杂AlGaN半导体紫外吸收层、P型AlGaN空穴传输层和P型半导体接触层。

10.如权利要求9所述倒装结构的紫外探测器芯片，其特征在于，所述P电极与所述N型AlGaN接触层接触；

所述N电极与所述P型半导体接触层接触。