[发明专利]前照式图像传感器及形成方法在审
申请号: | 202210621598.0 | 申请日: | 2022-06-02 |
公开(公告)号: | CN115172392A | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 徐涛;郑展;付文 | 申请(专利权)人: | 格科微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/762 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种前照式图像传感器及形成方法,通过掺杂隔离层掺杂有氧离子,形成第二外延层之前,所述掺杂隔离层经过热处理,所述氧离子与硅离子反应形成内设于第一外延层内的氧化硅层,所述氧化硅层隔离衬底及所述第二外延层,避免衬底的金属离子或缺陷产生的电子进入至所述第二外延层形成暗电流;所述第二外延层内设有若干感光单元,通过离子注入工艺形成所述掺杂隔离层,所述掺杂隔离层形成于所述第一外延层内,所述第一外延层对掺杂隔离层起到一定的钉扎作用,避免掺杂隔离层与第一外延层界面处的缺陷所产生的电子进入至所述第二外延层形成暗电流。 | ||
搜索关键词: | 前照式 图像传感器 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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