[发明专利]前照式图像传感器及形成方法在审

专利信息
申请号: 202210621598.0 申请日: 2022-06-02
公开(公告)号: CN115172392A 公开(公告)日: 2022-10-11
发明(设计)人: 徐涛;郑展;付文 申请(专利权)人: 格科微电子(上海)有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L21/762
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种前照式图像传感器及形成方法,通过掺杂隔离层掺杂有氧离子,形成第二外延层之前,所述掺杂隔离层经过热处理,所述氧离子与硅离子反应形成内设于第一外延层内的氧化硅层,所述氧化硅层隔离衬底及所述第二外延层,避免衬底的金属离子或缺陷产生的电子进入至所述第二外延层形成暗电流;所述第二外延层内设有若干感光单元,通过离子注入工艺形成所述掺杂隔离层,所述掺杂隔离层形成于所述第一外延层内,所述第一外延层对掺杂隔离层起到一定的钉扎作用,避免掺杂隔离层与第一外延层界面处的缺陷所产生的电子进入至所述第二外延层形成暗电流。
搜索关键词: 前照式 图像传感器 形成 方法
【主权项】:
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