[发明专利]一种具有变Al组分电子阻挡层的发光二极管在审
| 申请号： | 202210618156.0 | 申请日： | 2022-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN115050869A | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 张雄;崔佳;罗旭光;胡国华;崔一平 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/04;H01L33/32 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 任志艳 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有变Al组分电子阻挡层的发光二极管，由下至上依次包括衬底、AlN层、u‑AlGaN层、n‑AlGaN层、多量子阱有源区、变Al组分电子阻挡层、p‑AlGaN层和p‑GaN层。在n‑AlGaN上设置n型欧姆电极，在p‑GaN上设置p型欧姆电极。本发明所提供的变Al组分电子阻挡层结构由M个Al组分逐级降低的高Al组分的p‑AlGaN亚层和M‑1个低Al组分的p‑AlGaN亚层交替组合而成。与传统LED的EBL结构相比，本发明所提供的VAC‑EBL结构能够增强对多量子阱有源区中电子的限制，减少溢出电子与空穴非辐射复合的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有变 al 组分 电子 阻挡 发光二极管 | ||
【主权项】：
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