[发明专利]一种硅粉流延成型制备高导热氮化硅陶瓷基片的方法在审
| 申请号： | 202210605677.2 | 申请日： | 2022-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN115028461A | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 张景贤;段于森;吴炜炜 | 申请（专利权）人： | 浙江多面体新材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/622;C04B35/64;C04B35/645 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 313023 浙江省湖州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅粉流延成型制备高导热氮化硅陶瓷基片的方法，包括：（1）以硅粉作为原料粉体，以氧化镁、氧化钙中的至少一种作为烧结助剂A，以稀土氧化物中的一种作为烧结助剂B，以氧化锆、氧化钛和氧化铪中至少一种作为烧结助剂C，加入到含有分散剂的溶剂中，再加入粘结剂和塑性剂并混合，得到混合浆料；（2）将混合浆料在10～300Pa真空度下脱泡5～60分钟后，采用流延成型设备流出厚度为50～1000微米的生料带；（3）将所得生料带经切割、叠层后得到需要厚度的氮化硅基片坯体，再经真空脱粘、氮化处理和烧结，得到高导热氮化硅陶瓷基片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅粉流延 成型 制备 导热 氮化 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
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