[发明专利]一种蚀刻液、一种碲镉汞红外焦平面混成芯片的减薄方法有效
| 申请号： | 202210601938.3 | 申请日： | 2022-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN115197705B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 北京智创芯源科技有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/08 | 分类号： | C09K13/08;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;邓树山 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种蚀刻液，蚀刻液组分包括硝酸、氢氟酸、乳酸和水；以及一种碲镉汞红外焦平面混成芯片的减薄方法，通过湿法腐蚀的方法可以快速去除碲锌镉衬底，碲锌镉衬底腐蚀速率可达500微米/分钟以上，并且本蚀刻液可以在2分钟内完全腐蚀掉碲锌镉衬底，并且会在碲镉汞过渡层上形成终止层，终止层只有数十纳米，再通过溴加氢溴酸的水溶液腐蚀去除终止层，腐蚀时间约10秒，最终得到光亮新鲜的碲镉汞表面。该方法可以快速去除900‑1000微米原生厚度的衬底，有效消除衬底物理减薄过程带来的损伤，保持碲镉汞红外探测器光电性能不受衬底减薄工艺的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蚀刻 碲镉汞 红外 平面 混成 芯片 方法 | ||
【主权项】：
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