[发明专利]温度校正信息计算装置及方法、半导体制造装置、程序在审
申请号: | 202210598634.6 | 申请日: | 2022-05-30 |
公开(公告)号: | CN115454170A | 公开(公告)日: | 2022-12-09 |
发明(设计)人: | 渡边达也;竹永裕一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | G05D23/22 | 分类号: | G05D23/22;H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供温度校正信息计算装置、半导体制造装置、程序和温度校正信息计算方法。半导体制造装置通过以根据在内壁累积的累积膜厚而校正了的设定温度对被处理体进行热处理来进行成膜,温度校正信息计算装置包括:模型存储部,其存储用于生成将累积膜厚与温度校正值相关联的温度校正信息的模型;学习判断部,其在获得了热处理的成膜结果的情况下,判断是否进行模型的更新;模型学习部,其在学习判断部判断为进行模型的更新的情况下,基于对被处理体的成膜结果来更新模型;和温度校正信息生成部,其使用模型学习部所更新了的模型来生成温度校正信息,并根据温度校正信息校正设定温度。根据本发明,能够容易地调节对被处理体进行的热处理的设定温度。 | ||
搜索关键词: | 温度 校正 信息 计算 装置 方法 半导体 制造 程序 | ||
【主权项】:
暂无信息
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