[发明专利]温度校正信息计算装置及方法、半导体制造装置、程序

说明书

本发明提供温度校正信息计算装置、半导体制造装置、程序和温度校正信息计算方法。半导体制造装置通过以根据在内壁累积的累积膜厚而校正了的设定温度对被处理体进行热处理来进行成膜，温度校正信息计算装置包括：模型存储部，其存储用于生成将累积膜厚与温度校正值相关联的温度校正信息的模型；学习判断部，其在获得了热处理的成膜结果的情况下，判断是否进行模型的更新；模型学习部，其在学习判断部判断为进行模型的更新的情况下，基于对被处理体的成膜结果来更新模型；和温度校正信息生成部，其使用模型学习部所更新了的模型来生成温度校正信息，并根据温度校正信息校正设定温度。根据本发明，能够容易地调节对被处理体进行的热处理的设定温度。

技术领域

本发明涉及温度校正信息计算装置、半导体制造装置、程序和温度校正信息计算方法。

背景技术

在半导体的制造工艺中，例如，使用实施半导体晶片的成膜处理等的热处理系统。在热处理系统中，根据与处理对应的处理方案，决定设定温度、压力、气体流量等半导体制造装置所控制的处理条件。半导体制造装置反复实施热处理时在半导体晶片例如成膜，但在半导体制造装置的内壁面附着有附着物。该附着物的累积膜厚变厚时，即使半导体制造装置在遵循处理方案的设定温度下进行控制，炉内温度也会下降，不能在半导体晶片以所希望的膜厚成膜。

于是，已知有按照累积膜厚对设定温度进行校正的热处理系统(例如，参照专利文献1)。在专利文献1中，公开了生成将累积膜厚与设定温度的校正量相关联的温度校正信息的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-218558号公报。

发明内容

发明要解决的问题

本发明提供能够容易地调节对被处理体进行的热处理的设定温度的技术。

用于解决问题的技术手段

本发明为一种半导体制造装置的温度校正信息计算装置，其中，所述半导体制造装置通过以根据在半导体制造装置的内壁累积的累积膜厚而校正了的设定温度对被处理体进行热处理，来进行成膜，所述温度校正信息计算装置包括：模型存储部，其存储用于生成温度校正信息的模型，其中所述温度校正信息是将所述累积膜厚与温度校正值相关联的信息；学习判断部，其在获得了热处理的成膜结果的情况下，判断是否进行所述模型的更新；模型学习部，其在所述学习判断部判断为进行所述模型的更新的情况下，基于对所述被处理体的所述成膜结果来更新所述模型；和温度校正信息生成部，其使用所述模型学习部所更新了的所述模型来生成所述温度校正信息，并根据所述温度校正信息校正所述设定温度。

发明效果

能够提供可容易地调节对被处理体进行的热处理的设定温度的技术。

附图说明

图1是热处理系统的概要结构图的一个例子。

图2是半导体制造装置的概要剖面图的一个例子。

图3是被划分出的分区的一个例子。

图4是控制部的结构图的一个例子。

图5是温度校正信息计算装置的硬件结构图的一个例子。

图6是将温度校正信息计算装置所具有的功能结构分为框状进行说明的功能框图的一个例子。

图7是温度校正表的一个例子。

图8是示意性地说明存储于模型存储部中的模型的图的一个例子。

图9是使用温度校正表进行与累积膜厚相应的温度校正而实施了成膜处理的情况的成膜结果的一个例子。

图10是用于说明温度校正表的生成方法的流程图的一个例子。