[发明专利]晶圆划伤的检测装置在审
申请号: | 202210587674.0 | 申请日: | 2022-05-27 |
公开(公告)号: | CN114899121A | 公开(公告)日: | 2022-08-12 |
发明(设计)人: | 张建伟;赵天罡;施文心 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 袁榕 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及晶圆划伤的检测装置,包括上位机、移动平台、暗场光源、扫描单元以及自动对焦单元,移动平台用于承载晶圆,且与上位机电连接,上位机用于控制移动平台移动。暗场光源用于发射暗场光束至移动平台。扫描单元位于晶圆反射的暗场光束的光路上,扫描单元与上位机电连接。自动对焦单元位于晶圆反射的暗场光束的光路上,自动对焦单元与上位机电连接。暗场光束有利于识别晶圆上的细长划痕。自动对焦单元用于通过上位机控制移动平台或者扫描单元移动,以使得晶圆位于扫描单元的焦点上。使用自动对焦单元在检测过程中进行实时对焦处理,从而能够保证扫描单元拍摄图像清晰,保证缺陷的检出。 | ||
搜索关键词: | 划伤 检测 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210587674.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造