[发明专利]晶圆划伤的检测装置在审
申请号: | 202210587674.0 | 申请日: | 2022-05-27 |
公开(公告)号: | CN114899121A | 公开(公告)日: | 2022-08-12 |
发明(设计)人: | 张建伟;赵天罡;施文心 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 袁榕 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 划伤 检测 装置 | ||
本发明涉及晶圆划伤的检测装置,包括上位机、移动平台、暗场光源、扫描单元以及自动对焦单元,移动平台用于承载晶圆,且与上位机电连接,上位机用于控制移动平台移动。暗场光源用于发射暗场光束至移动平台。扫描单元位于晶圆反射的暗场光束的光路上,扫描单元与上位机电连接。自动对焦单元位于晶圆反射的暗场光束的光路上,自动对焦单元与上位机电连接。暗场光束有利于识别晶圆上的细长划痕。自动对焦单元用于通过上位机控制移动平台或者扫描单元移动,以使得晶圆位于扫描单元的焦点上。使用自动对焦单元在检测过程中进行实时对焦处理,从而能够保证扫描单元拍摄图像清晰,保证缺陷的检出。
技术领域
本发明涉及划伤检测装置技术领域,特别是涉及一种晶圆划伤的检测装置。
背景技术
晶圆是一种重要的基底材料,常用于微纳器件的加工。在其制备的过程中,通常使用机械方法对半导体进行切割,形成晶片,并对其表面进行抛光。然而在这一过程中,可能会对半导体晶片的表面带来损伤,其中一类即为宽度仅为微米至亚微米量级的划伤。这种划伤缺陷特征在于其宽度尺寸较小,但是长度尺寸较长。
现有技术一般采取湿法刻蚀或激光脉冲辐照的方式对划伤缺陷进行检测,但是上述方法容易导致晶圆上的划伤缺陷进一步扩大,使得半导体晶片受到二次损伤。
发明内容
基于此,有必要针对现有技术中对晶圆进行划伤缺陷检测时容易导致的划伤缺陷进一步扩大的问题,提出一种晶圆划伤的检测装置。
一种晶圆划伤的检测装置,包括:
上位机;
移动平台,用于承载晶圆,所述移动平台与所述上位机电连接,所述上位机用于控制所述移动平台移动;
暗场光源,用于发射暗场光束至所述移动平台;
扫描单元,位于晶圆反射的暗场光束的光路上,所述扫描单元与所述上位机电连接;
自动对焦单元,位于晶圆反射的暗场光束的光路上,所述自动对焦单元与所述上位机电连接。
在其中一个实施例中,所述暗场光源与所述扫描单元的相对位置固定,所述暗场光源的聚焦位置与所述扫描单元的焦点位置相同。
在其中一个实施例中,所述暗场光源设置在所述移动平台远离所述扫描单元的一侧。
在其中一个实施例中,所述暗场光源设置在所述移动平台与所述扫描单元之间,所述暗场光源包括第一反射镜、暗场物镜和发射光源,所述第一反射镜和所述暗场物镜依次排列在晶圆反射的暗场光束的光路上,且所述暗场物镜位于所述第一反射镜靠近所述移动平台的一侧,所述第一反射镜用于将所述发射光源发出的光束反射至所述暗场物镜。
在其中一个实施例中,所述第一反射镜为环形结构。
在其中一个实施例中,所述自动对焦单元与所述扫描单元的相对位置固定,所述自动对焦单元的焦点位置与所述扫描单元的焦点位置相同。
在其中一个实施例中,所述检测装置还包括第二反射镜,所述第二反射镜设置在光路上,所述第一反射镜用于将光路上的部分光线反射至所述自动对焦单元。
在其中一个实施例中,所述移动平台能够相对于所述扫描单元移动,所述移动平台相对于所述扫描单元的移动路径包括相互交叉的两组移动线路,每一组所述移动线路包括相互平行的多条移动线路。
在其中一个实施例中,所述移动平台包括X轴移动模组和Y轴移动模组,任意一条所述移动线路分别与所述X轴移动模组相交,以及与所述Y轴移动模组相交,所述X轴移动模组和Y轴移动模组用于同时带动所述晶圆沿所述移动线路移动。
在其中一个实施例中,所述移动平台包括Z轴移动模组,所述X轴移动模组和Y轴移动模组位于所述Z轴移动模组上,所述Z轴移动模组用于通过所述X轴移动模组和Y轴移动模组带动晶圆沿Z轴方向移动。
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