[发明专利]一种基于丝网印刷制备全背接触晶硅异质结太阳电池结构的方法在审
申请号: | 202210576903.9 | 申请日: | 2022-05-25 |
公开(公告)号: | CN114883424A | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | 赵雷;王文静 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/20 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 易昂 |
地址: | 100190 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种基于丝网印刷制备全背接触晶硅异质结太阳电池结构的方法,属于光伏发电技术领域。本发明通过采用不同的牺牲层对电池的不同构成功能层进行保护,可确保图形化结构从第一牺牲层往电池构成功能层上转移的过程中不会对电池构成功能层产生任何损伤,所述的构成牺牲层的硅薄膜、氧化硅薄膜、氮化硅薄膜材料,性质稳定,对电池构成功能层的制备过程也不会产生影响,不影响太阳电池表面的钝化效果,也不影响光生少子的传输和收集,从而保障全背接触晶硅异质结太阳电池具有获得高转换效率的潜力,为全背接触晶硅异质结太阳电池的低成本制备提供一种可行途径。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 丝网 印刷 制备 接触 晶硅异质结 太阳电池 结构 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的