[发明专利]一种低噪声带隙基准电路在审
| 申请号： | 202210576746.1 | 申请日： | 2022-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN114740943A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 王尧;程理丽;贾世旺;赵飞;韩威 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十四研究所 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 河北东尚律师事务所 13124 | 代理人： | 王文庆 |
| 地址： | 050081 河北省石家庄*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低噪声带隙基准电路，涉及硅基电源领域。该电路包括偏置电流产生模块、稳定性补偿模块、带隙基准电压产生模块；偏置电流产生模块包括第一~第六晶体管、第一~第二三极管、第一~第三电阻；稳定性补偿模块包括第四电阻和第一电容；带隙基准电压产生模块包括第七~第八晶体管、第五~第九电阻、第三~第四三极管。本发明适于CMOS工艺实现，具有输出噪声电压低、温度特性高、架构简单的特点，可以实现低噪声的带隙基准电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 噪声 基准 电路 | ||
【主权项】：
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