[发明专利]一种低噪声带隙基准电路在审
申请号: | 202210576746.1 | 申请日: | 2022-05-25 |
公开(公告)号: | CN114740943A | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 王尧;程理丽;贾世旺;赵飞;韩威 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十四研究所 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 河北东尚律师事务所 13124 | 代理人: | 王文庆 |
地址: | 050081 河北省石家庄*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 噪声 基准 电路 | ||
1.一种低噪声带隙基准电路,其特征在于,包括偏置电流产生模块(100)、稳定性补偿模块(200)以及带隙基准电压产生模块(300);
所述偏置电流产生模块(100)包括第一晶体管(101)、第二晶体管(102)、第三晶体管(103)、第四晶体管(105)、第五晶体管(107)、第六晶体管(110)、第一三极管(106)、第二三极管(108)、第一电阻(104)、第二电阻(109)、第三电阻(111);第一晶体管(101)、第二晶体管(102)的源极连接电源,第一晶体管(101)的栅极与漏极同时连接第二晶体管(102)的栅极和第三晶体管(103)的漏极;第三晶体管(103)的栅极同时连接第二晶体管(102)的漏极和第四晶体管(105)的栅极与漏极;第一电阻(104)的一端连接第三晶体管(103)的源极,另一端连接第一三极管(106)的基极与集电极,第一三极管(106)的发射极连接第二电阻(109)的一端,第二电阻(109)的另一端接地;第五晶体管(107)的栅极与漏极同时连接第四晶体管(105)的源极与第二三极管(108)的集电极;第五晶体管(107)的源极连接第六晶体管(110)的栅极与漏极,第六晶体管(110)的源极接地;第二三极管(108)的发射极连接第三电阻(111)的一端,第三电阻(111)的另一端接地;
所述稳定性补偿模块(200)包括第四电阻(201)和第一电容(202);第四电阻(201)的一端连接第四晶体管(105)的漏极,另一段连接第一电容的一端,第一电容的另一端连接第二三极管(108)的基极;
所述带隙基准电压产生模块(300)包括第七晶体管(301)、第八晶体管(302)、第五电阻(303)、第六电阻(304)、第七电阻(305)、第八电阻(308)、第九电阻(309)、第三三极管(306)、第四三极管(307);第七晶体管(301)的源极连接电源,栅极与漏极共同连接第八晶体管(302)的漏极;第八晶体管(302)的栅极连接稳定性补偿模块(200)中第四电阻(201)和第一电容(202)的连接节点;第八晶体管(302)的源极分别与第五电阻(303)、第六电阻(304)的一端连接,第五电阻(303)的另一端同时连接第二三极管(108)的基极与第三三极管(306)的集电极,第六电阻(304)的另一端同时连接第七电阻(305)的一端以及第四三极管(307)的基极,第七电阻(305)的另一端同时连接第三三极管(306)的基极与第四三极管(307)的集电极;第三三极管(306)的发射极连接第八电阻(308)的一端,第八电阻(308)的另一端接地;第四三极管(307)的发射极连接第九电阻(309)的一端,第九电阻(309)的另一端接地。
2.根据权利要求1所述的一种低噪声带隙基准电路,其特征在于,第一晶体管(101)、第二晶体管(102)的宽长比比例满足1:1的关系,第三晶体管(103)、第四晶体管(105)的宽长比比例满足
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十四研究所,未经中国电子科技集团公司第五十四研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210576746.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种隧道仰拱施工装置及隧道仰拱施工方法
- 下一篇:一种便于拼接的LED灯