[发明专利]外延结构、P型晶体管、集成电路以及电源管理芯片在审

专利信息
申请号: 202210573412.9 申请日: 2022-05-25
公开(公告)号: CN115020469A 公开(公告)日: 2022-09-06
发明(设计)人: 化梦媛;陈俊廷 申请(专利权)人: 南方科技大学
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78;H01L27/088
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 林青中
地址: 518055 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种外延结构、P型晶体管、集成电路以及电源管理芯片,其中外延结构包括基体以及在基体上形成的垂直堆叠结构,所述垂直堆叠结构包括依次层叠的第一P型区、P型沟道区以及第二P型区,所述第二P型区的一侧表面与所述基体的一侧表面接触;通过上述垂直堆叠的第一P型区、P型沟道区以及第二P型区的外延结构中,P型沟道区可以在不受光刻工艺的限制下,将沟道长度锐减至纳米范围。此外还可以通过调节P型沟道区掺杂浓度,实现对具有上述外延结构的常关型P型晶体管阈值电压的自由调控。
搜索关键词: 外延 结构 晶体管 集成电路 以及 电源 管理 芯片
【主权项】:
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