[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管器件及其制作方法和显示面板在审
| 申请号： | 202210569810.3 | 申请日： | 2022-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN114823917A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 李育智;龚政;陈志涛;郭婵;王建太;邹胜晗;潘章旭 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 杜杨 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供一种金属氧化物薄膜晶体管器件及其制作方法和显示面板，涉及半导体技术领域。本申请通过在基底的一侧依次制备氮硅层、栅极、覆盖栅极的栅介质层以及至少覆盖栅介质层的金属氧化物层，使金属氧化物层中与氮硅层接触的部分区域经氮硅层所含有的氢或氟扩散掺杂进行导体化，形成源极区域和漏极区域，该金属氧化物层中与栅介质层接触且未导体化的部分区域即为连通源极区域和漏极区域的半导体区域，栅极、源极区域和漏极区域处于同一氮硅层表面上。因此，该薄膜晶体管器件能够通过极为简单的自对准底栅结构实现较低的寄生电容和较高的工作频率上限，并具有制备工艺简单的特点，可低成本制备高图像显示质量的显示面板。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 薄膜晶体管 器件 及其 制作方法 显示 面板 | ||
【主权项】：
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