[发明专利]射频器件的外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210564546.4 | 申请日： | 2022-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN115207082A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 王群;龚逸品;李鹏;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种射频器件的外延结构及其制备方法，属于半导体技术领域。该射频器件的外延结构包括依次层叠的基板、成核层、第一AlN层、第一GaN层、第二AlN层、AlGaN层和第二GaN层；所述基板包括：衬底和氧化铝膜，氧化铝膜层叠于所述衬底的表面，所述氧化铝膜位于所述衬底和所述成核层之间。本公开能改善射频器件的外延结构生长过程中因衬底受损而影响生长质量的问题，提升外延结构的生长质量。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 器件 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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