[发明专利]GSPL-SNST氮化硅流延素坯及制备方法有效
| 申请号： | 202210563003.0 | 申请日： | 2022-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN114800775B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 陈明;郭天枫;陈玉衡 | 申请（专利权）人： | 江苏方达正塬电子材料科技有限公司 |
| 主分类号： | B28B1/29 | 分类号： | B28B1/29;B28B3/00;C04B35/596 |
| 代理公司： | 南京科知维创知识产权代理有限责任公司 32270 | 代理人： | 杜依民 |
| 地址： | 210019 江苏省南京市建*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明提供GSPL‑SNST氮化硅流延素坯的制备方法，包括以下步骤：利用SDPR预处理系统和/或HVCM预处理系统和/或GSPL生产线制备的GSPL‑SNCS浆料，经真空消泡、流延、烘干形成厚度为 |
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| 搜索关键词： | gspl snst 氮化 硅流延素坯 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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