[发明专利]GSPL-SNST氮化硅流延素坯及制备方法

权利要求书

1. GSPL-SNST氮化硅流延素坯的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1：第一素坯的制备：

将无机物固体经SDPR预处理系统处理、有机添加剂经HVCM预处理系统处理生成的有机物胶体后由GSPL生产线将两者混合制备得GSPL-SNCS浆料，经真空消泡、流延、烘干形成厚度为T₀的第一素坯；

所述无机物固体至少包括Si₃N₄粉体和无机烧结助剂粉体；

所述有机物胶体至少包括蓖麻油、无水乙醇、聚甲基丙烯、聚乙烯乙二醇和单油酸甘油的混合物；

S2：第二素坯的制备：

将N层除去膜带后的第一素坯进行裁切和整齐层叠并用PET真空包装袋密封后置于等静压机中在1-40MPa压力下静压5-40分钟，形成由多层第一素坯融合而成的第二素坯，所述第二素坯即为GSPL-SNST氮化硅流延素坯；

所述第二素坯的厚度为T_C,所述T_C也为定制的基板的厚度，则层数N的计算公式为 ；制备所述第一素坯的厚度T₀的计算公式为；其中，a为根据GB/T 17473.1-2008测定的GSPL-SNCS浆料的含固率(单位为%)；和分别为无水乙醇和有机物胶体的总质量，f为调节系数，；

SDPR预处理系统为无机物固体粉体预处理系统，用于将原料中的Si₃N₄粉体以及无机烧结助剂粉体进行干燥、排氧的预处理；

所述HVCM预处理系统为有机添加剂预处理系统，用于将有机添加剂预处理、混合制成有机物胶体；

GSPL生产线为专用氮化硅流延浆料生产线，用于将预处理完成的无机物固体和有机物胶体混合、研磨制成微纳浆料。

2.如权利要求1所述的GSPL-SNST氮化硅流延素坯的制备方法，其特征在于：第一素坯的厚度T₀的计算公式计算出的T₀的单位为mm。

3.应用权利要求1所述的制备方法制备的GSPL-SNST氮化硅流延素坯，其特征在于：所述第一素坯和第二素坯的表面粗糙度不大于0.01μm，同时无任何方向的裂纹；同时第二素坯的横切面上，不同部位坯体的密度的变异系数不大于0.001，并且无明显分层现象和/或气孔现象。