[发明专利]一种防泄漏碳化硅晶体生长炉在审
| 申请号： | 202210562468.4 | 申请日： | 2022-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN114959913A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 王人松;李扬;许星杰;石海洋 | 申请（专利权）人： | 连城凯克斯科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 无锡亿联盛知识产权代理有限公司 32625 | 代理人： | 李晶晶 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于碳化硅生产设备领域，具体的说是一种防泄漏碳化硅晶体生长炉，包括长晶炉本体；所述长晶炉本体的顶部安装有长晶炉盖；所述长晶炉盖的内部连接有进料管；所述进料管的侧壁上安装有驱动电机；所述驱动电机的输出端固接有驱动轮；所述进料管的内部固接有过料板；通过驱动电机带动驱动轮的转动，进而可带动遮挡板转动，在遮挡板转动的过程中，将块状的固体原料磨碎的结构设计，实现了可使得进入长晶炉本体内部的固体原料更加细碎，同时可对扬起的固体原料进行遮挡，有效避免固体原料浪费的功能，有效的解决了固体原料出现结块的情况，导致碳化硅反应的过程中，反应可能会出现误差，同时容易造成原料浪费的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 泄漏 碳化硅 晶体生长 | ||
【主权项】：
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