[发明专利]一种氮化硅薄膜的制备方法、阻隔膜在审
| 申请号： | 202210559659.5 | 申请日： | 2022-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN115125499A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 姚珍;王培红;李微 | 申请（专利权）人： | 张家港康得新光电材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 苏州满天星知识产权代理事务所(普通合伙) 32573 | 代理人： | 牛保和 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮化硅薄膜的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：S1，准备基材；S2，通过磁控溅射工艺在所述基材上沉积氮化硅薄膜；所述磁控溅射工艺中，阴极为硅靶，工作气体为惰性气体及氮气；所述惰性气体体积流量与硅靶轰击功率之比为5～12，所述氮气体积流量与硅靶轰击功率之比为7～15。本发明提供的氮化硅薄膜的制备方法，通过控制惰性气体和工作气体与硅靶轰击功率之比在合适的范围内，控制得到的氮化硅薄膜层的折射率位于1.9‑2.4内，且通过本发明提供的氮化硅薄膜的制备方法制备得到的阻隔层具有优异的水汽阻隔性能，在所述阻隔膜的基础之上还可进一步沉积调光层，进一步提升其光学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 薄膜 制备 方法 阻隔 | ||
【主权项】：
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