[发明专利]二维有机半导体单晶薄膜、有机场效应晶体管的制备方法

摘要

本发明提供了二维有机半导体单晶薄膜、有机场效应晶体管的制备方法。该制备方法包括：在n型SiO2/Si基底上制备形成绝缘层，以得到基材；将基材放置在刮涂机的基板上，且使得基材与位于基板上方的刮刀之间的间距为预设间距；向基材和刮刀之间的间隙施加预设混合溶液，预设混合溶液为预设溶液与聚乙二醇辛基苯基醚的混合溶液，预设溶液为C8‑BTBT溶解在预设有机溶剂中的溶液；控制刮刀以预设速度运动，以使间隙附近形成的弯液面在刮刀的引导下快速结晶，从而形成二维C8‑BTBT有机半导体单晶薄膜。制备获得的二维C8‑BTBT有机半导体单晶薄膜晶界和缺陷少，迁移率较高，足够实现很多应用，如有源矩阵、有机发光二极管、传感器和放大电路等的应用。