[发明专利]一种基体内含高密度层错的碳化硅纳米线增强铝基复合材料的制备方法有效
| 申请号： | 202210552261.9 | 申请日： | 2022-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN114921733B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 吴翌铭;武高辉;杨文澍;周畅 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C22C47/06 | 分类号： | C22C47/06;C22C47/02;C22C47/12;C22C49/06;C22C49/14;C22F1/04;C22C101/14 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种基体内含高密度层错的碳化硅纳米线增强铝基复合材料的制备方法，涉及一种碳化硅纳米线增强铝基复合材料制备方法。目的是解决含高密度层错的高体积分数增强体增强的纳米铝基复合材料的制备难度大的问题，本发明对不同尺寸的碳化硅纳米线增强体进行清洗沉降自然堆积，并施加压力形成均匀分布的碳化硅纳米线预制块后，进行保护气氛下的压铸法制备致密的碳化硅纳米线增强铝基复合材料；对初步制备的碳化硅纳米线增强铝基复合材料进行循环淬火，实现高密度位错的诱导，再进行高压等静压处理，在提升致密度的同时诱导位错扩展成为层错，实现纳米铝基复合材料的高效强化，并使其在强化的同时保持较好的塑性，具有更好的强度塑性匹配能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基体 内含 高密度 碳化硅 纳米 增强 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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