[发明专利]基于多比特SRAM单元的定点全精度存内计算电路有效
| 申请号： | 202210549764.0 | 申请日： | 2022-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN114937470B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 贺雅娟;骆宏阳;王梓霖;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G11C11/54 | 分类号： | G11C11/54;G11C11/419;G06N3/063;G06F7/544;G06F7/502;G06F5/01;G06N3/0464 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路技术领域，具体的说是基于多比特SRAM单元的定点全精度存内计算电路。本发明通过在传统SRAM存储阵列电路基础上添加两个晶体管构成传输门实现乘法，并且增加加法器树进行部分和累加，采用位串行输入模式和移位累加器完成多比特运算，从而实现了在SRAM存储阵列内进行精度无损的矩阵向量乘法运算。本发明了实现了无精度损失的多比特SRAM存内计算，具有面积小，并行度高的特点，适用于需要进行大规模乘累加计算的卷积神经网络系统。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 比特 sram 单元 定点 精度 计算 电路 | ||
【主权项】：
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