[发明专利]基于模数转换的高线性度CMOS栅压自举采样开关在审

专利信息
申请号: 202210541251.5 申请日: 2022-05-17
公开(公告)号: CN115102535A 公开(公告)日: 2022-09-23
发明(设计)人: 胡伟波;冯景彬;杨尚争;崔海涛;石方敏 申请(专利权)人: 江苏谷泰微电子有限公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687;H03K17/16;H03K17/14;H03M1/12
代理公司: 天津万华知识产权代理事务所(普通合伙) 12235 代理人: 梁改改
地址: 214000 江苏省无锡市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了基于模数转换的高线性度CMOS栅压自举采样开关,属于模拟电路技术领域。本发明利用第一电容和第二电容与第一PMOS管、第一NMOS管组成倍压器,利用输入电压将电容器充电,并且利用电路的切换,使电容器的电压正好为输入电压的两倍,同时以两倍的频率降低了纹波电压,而开关管MSW栅极的寄生电容较小,减少了栅压开关占用版图的面积以及降低版图匹配的难度,同时自举开关MSW处并联一个NMOS,自举开关的导通电阻为R1,新增的NMOS的导通电阻为R2,随着VIP升高,NMOS的栅源电压Vgs增大,抵消了R1的增加,使整个过程导通电阻趋于稳定,解决了由体效应引起的开关管导通阈值电压的变化带来的线性问题。
搜索关键词: 基于 转换 线性 cmos 采样 开关
【主权项】:
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