[发明专利]一种功函数可调的WCN薄膜沉积方法

摘要

本发明公开一种功函数可调的WCN薄膜沉积方法，包括以下步骤：先将钨前驱体加热到80‑150℃，前驱体运输管路及ALD腔体预热；通过NH3等离子体与钨前驱体反应沉积形成单原子层WN薄膜，重复X次，形成X层WN薄膜；通过H2等离子体与钨前驱体反应沉积形成单原子层WC薄膜，重复步骤Y次，形成Y层WC薄膜；重复上述步骤Z次，直到达到预期厚度的WCN薄膜。本发明通过WC薄膜和WN薄膜膜交替沉积的方法制备的WCN薄膜，能实现WCN之间的原子结合，取代现有的通过调节单一WCN薄膜的沉积的工艺参数调节WCN内部C，N比例的方式，可以达到精确调节C、N含量，从而实现功函数的可调。