[发明专利]一种在硅上形成锗器件的方法在审
| 申请号： | 202210536945.X | 申请日： | 2022-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN115000101A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 李加;陈维;林子瑛 | 申请（专利权）人： | 浙江兴芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海宁市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在硅上形成锗器件的方法，其包括对锗供体晶圆的正面进行氢离子注入以在锗供体晶圆中形成氢注入层以及锗转移层，使锗转移层面对硅目标晶圆的正面进行初次键合，剥离所述氢注入层以形成锗硅混合晶圆，对锗硅混合晶圆进行退火以完成锗转移层和硅目标晶圆的最终键合，在锗转移层中形成隔离结构和PIN光电二极管。该方法工艺简单且避免了锗外延可能导致产生的晶格失配。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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