[发明专利]高纯碳化硅晶体包裹的检测方法及装置在审
| 申请号： | 202210533381.4 | 申请日： | 2022-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN114935574A | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 王亚川;赵华利;白剑铭;黄灿;杨德志 | 申请（专利权）人： | 河北同光半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/84 | 分类号： | G01N21/84;G01B5/06 |
| 代理公司： | 北京连城创新知识产权代理有限公司 11254 | 代理人： | 许莉 |
| 地址： | 071051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 一种高纯碳化硅晶体包裹的检测方法及装置，涉及高纯半绝缘碳化硅晶体包裹物测量技术领域，其相对于现有的切割抛光后累计检测方法，消除了损毁部分厚度段的包裹物数量且弥补了破坏性检验带来的效率低及不良影响因素。所述高纯碳化硅晶体包裹的检测方法及装置中，利用高纯碳化硅晶体本身高透光性，且包裹物对光的散射效应；与此同时，采用平行强光在晶体侧面射入，遇到晶体包裹物反射给数字高速成像设备进行捕捉，最终合成包裹物在晶体内部的分布图。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 碳化硅 晶体 包裹 检测 方法 装置 | ||
【主权项】：
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