[发明专利]一种氧化物TFT及其制造方法在审
| 申请号： | 202210525298.2 | 申请日： | 2022-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN115000162A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 陈梓林 | 申请（专利权）人： | 陈梓林 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/43;H01L29/786;H01L21/28;H01L21/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种氧化物TFT，包括设置在基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极，所述栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极呈交错型或共面型的底栅结构布置，所述有源层具有与源极和漏极接触的接触端部，所述有源层为含有铟元素的氧化物半导体层，所述源极和漏极均由含铟的合金薄膜图形化而成。这种氧化物TFT的有源层与源极和漏极的接触端部可有效地被导体化，且不会影响有源层的沟道部位。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 tft 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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