[发明专利]多级结构的氮化硅泡沫陶瓷及通过渗硅氮化原位生长晶须或纳米线结合CVI工艺制备方法有效
| 申请号： | 202210525130.1 | 申请日： | 2022-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN115368161B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 成来飞;叶昉;罗熙烨;张青;崔雪峰 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C04B38/06 | 分类号： | C04B38/06;C04B35/80;C04B35/584;C04B35/622 |
| 代理公司： | 西安凯多思知识产权代理事务所(普通合伙) 61290 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种本发明提出的一种多级结构的氮化硅泡沫陶瓷及通过渗硅氮化原位生长晶须或纳米线结合CVI工艺制备方法，首先采用有机泡沫浸渍法将聚氨酯海绵裹浆形成泡沫陶瓷粗坯，然后在高温下通过渗硅氮化反应在粗坯孔壁和孔中生成Si |
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| 搜索关键词： | 多级 结构 氮化 泡沫 陶瓷 通过 原位 生长 纳米 结合 cvi 工艺 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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