[发明专利]在锌基底上合成卟啉基二维金属有机框架纳米片阵列的方法及电池有效
| 申请号: | 202210512324.8 | 申请日: | 2022-05-12 |
| 公开(公告)号: | CN114744143B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
| 发明(设计)人: | 杨全红;王飞飞;杨春鹏 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
| 主分类号: | H01M4/04 | 分类号: | H01M4/04;B82Y40/00;C08G83/00 |
| 代理公司: | 广东莞信律师事务所 44332 | 代理人: | 曾秋梅 |
| 地址: | 300000*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | 本发明属于电化学电源技术领域,具体涉及一种在锌基底上合成卟啉基二维金属有机框架(MOF)纳米片阵列的方法,至少包括如下步骤:第一步,配制溶液:将含有羧基的卟啉结构的前驱体分散于混合溶剂中,得到前驱体溶液;第二步,将前驱体溶液与锌基底进行反应,得到卟啉基二维Zn‑MOF阵列;第三步,将第二步得到的卟啉基二维Zn‑MOF阵列用溶剂冲洗,之后进行溶剂脱除,从而在锌基底上附着卟啉基二维MOF纳米片阵列。本发明通过无表面活性剂基底诱导的方法高效合成MOF开孔阵列结构,将其用于金属离子电池负极,可以诱导金属的U形沉积,抑制枝晶的产生,从而提高金属离子电池的循环性能。同时,该MOF纳米阵列合成简单,适宜规模生产。 | ||
| 搜索关键词: | 基底 合成 卟啉 二维 金属 有机 框架 纳米 阵列 方法 电池 | ||
【主权项】:
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