[发明专利]在锌基底上合成卟啉基二维金属有机框架纳米片阵列的方法及电池有效
| 申请号: | 202210512324.8 | 申请日: | 2022-05-12 |
| 公开(公告)号: | CN114744143B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
| 发明(设计)人: | 杨全红;王飞飞;杨春鹏 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
| 主分类号: | H01M4/04 | 分类号: | H01M4/04;B82Y40/00;C08G83/00 |
| 代理公司: | 广东莞信律师事务所 44332 | 代理人: | 曾秋梅 |
| 地址: | 300000*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基底 合成 卟啉 二维 金属 有机 框架 纳米 阵列 方法 电池 | ||
1.一种在锌基底上合成卟啉基二维金属有机框架纳米片阵列的方法,其特征在于,至少包括如下步骤:
第一步,配制溶液:将含有羧基的卟啉结构的前驱体分散于混合溶剂中,得到前驱体溶液;
第二步,将前驱体溶液与锌基底进行反应,得到卟啉基二维Zn-MOF阵列;
第三步,将第二步得到的卟啉基二维Zn-MOF阵列用溶剂冲洗,之后进行溶剂脱除,从而在锌基底上附着卟啉基二维MOF纳米片阵列;
含有羧基的卟啉结构的前驱体为4 ,4 ,4 ,4-(卟啉-5,10,15,20-四甲酰基)四(苯甲酸)。
2.根据权利要求1所述的在锌基底上合成卟啉基二维金属有机框架纳米片阵列的方法,其特征在于,所述卟啉基二维MOF纳米片阵列具有可调节的开孔结构;且所述卟啉基二维MOF纳米片阵列中的纳米片垂直于所述锌基底,该卟啉基二维MOF纳米片阵列具有丰富的通道传输离子。
3.根据权利要求1所述的在锌基底上合成卟啉基二维金属有机框架纳米片阵列的方法,其特征在于,所述卟啉基二维MOF纳米片阵列中的金属中心为锌。
4.根据权利要求2所述的在锌基底上合成卟啉基二维金属有机框架纳米片阵列的方法,其特征在于,所述卟啉基二维MOF纳米片阵列的开孔结构的孔径为100 nm-2 μm,纳米片的厚度为10 nm-100 nm,所述卟啉基二维金属有机框架纳米片阵列的厚度为5 μm-800 μm。
5.根据权利要求1所述的在锌基底上合成卟啉基二维金属有机框架纳米片阵列的方法,其特征在于,第一步所述混合溶剂为二甲基甲酰胺、乙醇、甲醇、乙二醇、甲基吡咯烷酮和二甲基亚砜中的至少两种。
6.根据权利要求1所述的在锌基底上合成卟啉基二维金属有机框架纳米片阵列的方法,其特征在于,第二步中,反应的温度区间为25-180 ℃,反应时间为1 min-24 h。
7.根据权利要求1所述的在锌基底上合成卟啉基二维金属有机框架纳米片阵列的方法,其特征在于,前驱体溶液的浓度为1-1000 mg ml-1。
8.根据权利要求1所述的在锌基底上合成卟啉基二维金属有机框架纳米片阵列的方法,其特征在于,第三步所述溶剂为乙醇、水、甲醇和石油醚中的至少一种。
9.电池,包括正极、负极、电解液和隔离膜,其特征在于:所述负极为采用权利要求1-8任一项所述的方法制备得到的锌基底卟啉基二维MOF纳米片阵列。
10.根据权利要求9所述的电池,其特征在于:所述正极为钒基正极、锰基正极或者普鲁士蓝。
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