[发明专利]一种长度伸缩谐振型磁传感器有效
申请号: | 202210506574.0 | 申请日: | 2022-05-11 |
公开(公告)号: | CN114609554B | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 陈聪;白利兵;张杰;周权;田露露;程玉华;黄伟 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G01R33/02 | 分类号: | G01R33/02;G01R33/00 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 邓黎 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开一种长度伸缩谐振型磁传感器,属于磁传感器技术领域,包括第一引出电极,第二引出电极,以及自下而上依次设置的基座、下磁敏薄膜、下电极层、压电薄膜层、上电极层和上磁敏薄膜;压电薄膜层包括中间镂空的绝缘结构,位于绝缘结构镂空区域的长度伸缩型压电薄膜结构,以及两个用于固定的支撑梁;基座上表面设有空腔,下磁敏薄膜和下电极层位于空腔内部对应压电薄膜结构位置;上电极层与第一引出电极相连,下电极层贯穿绝缘结构与第二引出电极相连。本发明中下磁敏薄膜和上磁敏薄膜均可与待测磁场充分接触,同时利用压电薄膜结构的长度伸缩特性,保证ΔE效应的充分转换,提高磁传感器的相对灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 一种 长度 伸缩 谐振 传感器 | ||
【主权项】:
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