[发明专利]一种长度伸缩谐振型磁传感器

权利要求书

1.一种长度伸缩谐振型磁传感器，其特征在于，包括第一引出电极，第二引出电极，以及自下而上依次设置的基座、下磁敏薄膜、下电极层、压电薄膜层、上电极层和上磁敏薄膜；所述压电薄膜层包括中间镂空的绝缘结构，位于绝缘结构镂空区域的谐振态为长度伸缩型的压电薄膜结构，以及两个用于固定压电薄膜结构和绝缘结构的支撑梁，支撑梁对应于压电薄膜结构的零位移位置，即长度中心处；所述基座上表面设有空腔，下磁敏薄膜和下电极层位于空腔内部对应压电薄膜结构位置；所述上电极层与第一引出电极相连，下电极层贯穿绝缘结构与第二引出电极相连。

2.根据权利要求1所述长度伸缩谐振型磁传感器，其特征在于，所述第一引出电极和第二引出电极设置于绝缘结构上表面，并分别位于上电极层两侧。

3.根据权利要求1所述长度伸缩谐振型磁传感器，其特征在于，所述压电薄膜层的厚度为400~800 nm，下磁敏薄膜和上磁敏薄膜的厚度为200~400 nm。

4.根据权利要求1所述长度伸缩谐振型磁传感器，其特征在于，所述下磁敏薄膜和上磁敏薄膜的材料为FeGaB，FeGa，或由FeSiB和FeCoMo合成的非晶态合金。

5.根据权利要求1所述长度伸缩谐振型磁传感器，其特征在于，所述压电薄膜结构的材料为压电陶瓷PZT、AlN或压电单晶PMN-PT。

6.根据权利要求1所述长度伸缩谐振型磁传感器，其特征在于，所述下磁敏薄膜和上磁敏薄膜的厚度相同。