[发明专利]一种INP片减薄抛光工艺方法在审
| 申请号： | 202210504658.0 | 申请日： | 2022-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN114864383A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 黄惠莺;薛正群 | 申请（专利权）人： | 福建中科光芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B24B1/00 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 张灯灿;蔡学俊 |
| 地址： | 362712 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种INP片减薄抛光工艺方法，包括以下步骤：（1）将带光刻胶的晶圆上蜡粘片，在减薄设备上减薄至120~125um；（2）将晶圆从减薄设备上取下，放到抛光设备上，让晶圆与抛光盘上的抛光垫接触；（3）抛光10~20min，将晶圆抛光至80‑100um；抛光过程中控制抛光液持续出液，抛光温度23~27℃，抛光压力180~300g/cm |
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| 搜索关键词： | 一种 inp 片减薄 抛光 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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