[发明专利]FP半导体激光器的磊晶制造方法及FP半导体激光器在审
| 申请号： | 202210504243.3 | 申请日： | 2022-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN115021082A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 欧政宜;林志远;潘德烈 | 申请（专利权）人： | 兆劲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32;H01S5/323;H01S5/22 |
| 代理公司： | 深圳市中科云策知识产权代理有限公司 44862 | 代理人： | 章明美;陈科恒 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学园区*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种FP半导体激光器的磊晶制造方法及FP半导体激光器，通过在基板上磊晶生成双异质结构，双异质结构中包覆有主动层。主动层上方依序生成P型材料区及穿隧接面(TJ)层，且P型材料区中具有蚀刻停止层。蚀刻停止层下、上分别邻接下隔离层与上隔离层，上隔离层邻接TJ层。通过蚀刻TJ层及上隔离层并止于蚀刻停止层而形成脊柱，使主动层未受蚀刻从而未缩小发光范围后，再一次性依序成长形成N型披覆层及N型接触层，且N型披覆层掩埋包覆脊柱，N型接触层设于N型披覆层上。从而形成兼具脊状与掩埋制程特性的FP半导体激光器。 | ||
| 搜索关键词： | fp 半导体激光器 制造 方法 | ||
【主权项】：
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