[发明专利]FP半导体激光器的磊晶制造方法及FP半导体激光器

权利要求书

1.一种FP半导体激光器的磊晶制造方法，其特征在于，包括：

在基板上磊晶生成双异质结构，所述双异质结构中包覆有主动层，且所述主动层与所述基板之间生成N型材料区，所述主动层上方生成P型材料区；其中所述P型材料区中具有蚀刻停止层，所述蚀刻停止层下、上分别邻接下隔离层与上隔离层；

形成穿隧接面层邻接在所述上隔离层上后，涂布一条状光阻在所述穿隧接面层上；其中所述穿隧接面层包含重掺杂P型层及重掺杂N型层，且所述重掺杂P型层邻接所述上隔离层，所述重掺杂N型层邻接在所述重掺杂P型层上；

向下蚀刻未覆盖在所述条状光阻的所述穿隧接面层及所述上隔离层并止于所述蚀刻停止层而形成脊柱后，去除所述条状光阻；其中所述主动层未受蚀刻而未缩小发光范围；及

一次性再成长依序形成N型披覆层及N型接触层，其中所述N型披覆层掩埋包覆所述脊柱，所述N型接触层设于所述N型披覆层上。

2.根据权利要求1所述的FP半导体激光器的磊晶制造方法，其特征在于，蚀刻为非等向性蚀刻，从而使所述脊柱的穿隧接面层与上隔离层范围一致。

3.根据权利要求2所述的FP半导体激光器的磊晶制造方法，其特征在于，所述基板采用InP材料；所述穿隧接面层采用InGaAsP、AlGaInAs、InGaAs、AlInAs或InP材料；所述N型披覆层采用InP材料。

4.一种FP半导体激光器，其特征在于，所述FP半导体激光器使用如权利要求1-3任意一项所述的一种FP半导体激光器的磊晶制造方法制成，其中：所述FP半导体激光器中，由所述基板向上磊晶形成的所述主动层未受蚀刻缩小发光范围，而使所述主动层范围大于所述脊柱范围，且所述脊柱由下而上依序为所述上隔离层、所述重掺杂P型层及所述重掺杂N型层；另所述N型披覆层完全掩埋包覆所述脊柱，且所述N型接触层设于所述N型披覆层上。

5.根据权利要求4所述的FP半导体激光器，其特征在于，所述脊柱的穿隧接面层与所述上隔离层范围一致。

6.根据权利要求4或5任意一项所述的FP半导体激光器，其特征在于，所述基板采用InP材料；所述穿隧接面层采用InGaAsP、AlGaInAs、InGaAs、AlInAs或InP材料；所述N型披覆层采用InP材料。

7.根据权利要求6所述的FP半导体激光器，其特征在于，所述主动层下、上分别邻接下能障层与上能障层，所述下能障层向下邻接下渐变层，所述上能障层向上邻接上渐变层；所述下渐变层向下邻接所述N型材料区，所述上渐变层向上邻接所述P型材料区。

8.根据权利要求7所述的FP半导体激光器，其特征在于，所述N型材料区由下而上依序包含缓冲层、第一载子渐变跃迁层及下局限层；所述P型材料区由下而上依序包含上局限层、所述下隔离层、所述蚀刻停止层及所述上隔离层。

9.根据权利要求8所述的FP半导体激光器，其特征在于，所述N型披覆层与所述N型接触层之间由下而上还设置有第二载子渐变跃迁层及第三载子渐变跃迁层；其中所述第二载子渐变跃迁层采用n-In_0.71Ga_0.29As_0.62P_0.38材料，所述第三载子渐变跃迁层采用n-In_0.61Ga_0.39As_0.84P_0.16材料。

10.根据权利要求9所述的FP半导体激光器，其特征在于，所述主动层采用(Al_0.22Ga_0.78)_0.37In_0.63As材料；所述上能障层及所述下能障层采用(Al_0.23Ga_0.77)_0.52In_0.48As材料；所述下渐变层及所述上渐变层采用(Al_0.85Ga_0.15)_0.47In_0.53As-(Al_0.44Ga_0.56)_0.47In_0.53As材料；所述下局限层采用n-In_0.53Al_0.47As材料；所述第一载子渐变跃迁层采用n-(Al_0.85Ga_0.15)_0.47In_0.53As材料；所述缓冲层采用n-InP材料；所述上局限层采用p-In_0.53Al_0.47As材料；所述上隔离层及所述下隔离层采用p-InP材料；所述蚀刻停止层采用p-In_0.84Ga_0.16As_0.34P_0.66材料；所述N型接触层采用n-In_0.53Ga_0.47As材料。