[发明专利]一种低压沟槽栅功率器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202210502924.6 | 申请日： | 2022-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN114613848B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;周锦程;王根毅;叶鹏;周永珍 | 申请（专利权）人： | 南京微盟电子有限公司;无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336 |
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| 地址： | 210018 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种低压沟槽栅功率器件，在第一导电类型外延层的上方设有第二导电类型体区，在所述第二导电类型体区的表面设有沟槽，在沟槽水平延伸的方向上，沟槽的两侧的第二导电类型体区的表面间隔设置第一导电类型源区与第二导电类型源区，在沟槽与第二导电类型源区接触的槽段下方的第一导电类型外延层内设有块状第一导电类型阱区，或者，在所述第二导电类型源区的下方设有第二导电类型高掺杂阱区，所述第二导电类型高掺杂阱区穿透第二导电类型体区进入第一导电类型外延层内，本发明能够抑制三极管的开启，提高沟槽栅功率器件的可靠性，并降低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低压 沟槽 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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