[发明专利]一种具有大温差电动势二维锑化铋的制备方法在审
| 申请号： | 202210484996.2 | 申请日： | 2022-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN114807890A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 陶立;赵晗柳;朱蓓蓓;赵成栋;刘安晗;朱正瑞;常博 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C23C14/58 | 分类号： | C23C14/58;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/30;C22C1/02;C22C12/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 李倩 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有大温差电动势二维锑化铋的制备方法，所述制备方法为：对密闭管式炉抽真空后，以惰性气体作为载气，在所需压强下将二维锑化铋在低于其熔点的温度下进行退火处理。本发明制备方法能够制得厚度在20nm以下仍具有大温差电动势(塞贝克系数绝对值大于25μV/K)的二维锑化铋，从而实现20nm以下二维锑化铋在便携场景中的应用；本发明通过退火诱导二维锑化铋升华并留下微孔，通过微孔降低低能量载流子浓度，减少低能量载流子对塞贝克系数的负面贡献，从而提高二维锑化铋塞贝克系数的绝对值；并且本发明方法能够通过氩气的流量来控制锑化铋薄膜上微孔的尺寸和数量，从而实现对锑化铋薄膜塞贝克系数的调控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 温差 电动势 二维 锑化铋 制备 方法 | ||
【主权项】：
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