[发明专利]一种反向电流分布均匀的逆导型IGBT在审
| 申请号： | 202210480122.X | 申请日： | 2022-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN114784098A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 孙瑞泽;余丽波;刘超 | 申请（专利权）人： | 成都智达和创信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/08;H01L29/739;H01L29/872;H01L27/07 |
| 代理公司： | 成都熠邦鼎立专利代理有限公司 51263 | 代理人： | 汤楚莹 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种反向电流分布均匀的逆导型IGBT，包括半元胞结构，半元胞结构包括集电极结构、耐压层结构发射极结构和栅极结构；集电极结构位于耐压层结构的其中一端，发射极结构和栅极结构位于耐压层结构另一端的两侧；其中集电极结构包括P+集电极区、N+集电极区和N型缓冲层、P型导电材料、集电极金属、浮空金属；集电极金属连接在P+集电极区并引出集电极，浮空金属连接在N+集电极区，且集电极金属与浮空金属之间不接触；本发明在常规逆导型IGBT结构的基础上通过对集电极结构的优化及改进，利用在集电极侧引入的P型肖特基二极管来消除电压折回现象，因此使得P+集电极区与N+集电极区的长度比值可以较小，保证器件在反向导通时电流更均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反向 电流 分布 均匀 逆导型 igbt | ||
【主权项】：
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