[发明专利]一种反向电流分布均匀的逆导型IGBT

权利要求书

1.一种反向电流分布均匀的逆导型IGBT，包括半元胞结构，半元胞结构包括集电极结构、耐压层结构发射极结构和栅极结构；集电极结构位于耐压层结构的其中一端，发射极结构和栅极结构位于耐压层结构另一端的两侧，其特征在于，所述的集电极结构包括P+集电极区（11）、N+集电极区（12）和N型缓冲层（13）、P型导电材料（15）、集电极金属（16）、浮空金属（17）；

所述的N型缓冲层（13）的其中一侧连接在所述的耐压层结构上，所述的P+集电极区（11）和N+集电极区（12）的其中一侧分别连接在所述N型缓冲层（13）的另一侧，且P+集电极区（11）和N+集电极区（12）之间具有间隙，所述集电极金属（16）连接在所述P+集电极区（11）的另一侧且引出集电极（C），所述的浮空金属（17）连接在所述N+集电极区（12）的另一侧，且集电极金属（16）与浮空金属（17）之间不接触；

所述P型导电材料（15）置于所述间隙内且分别与所述的集电极金属（16）肖特基接触，与所述的浮空金属（18）欧姆接触，P型导电材料（15）的侧边与所述的P+集电极区（11）、N+集电极区（12）和N型缓冲层（13）之间均具有间距。

2.根据权利要求1所述一种反向电流分布均匀的逆导型IGBT，其特征在于，在P+集电极区（11）和N+集电极区（12）之间的间隙内设有第一绝缘介质层（14），所述的P型导电材料（15）连接在所述第一绝缘介质层（14）上。

3.根据权利要求2所述一种反向电流分布均匀的逆导型IGBT，其特征在于，所述第一绝缘介质层（14）的其中一侧延长且附着在所述N型缓冲层（13）上。

4.根据权利要求3所述一种反向电流分布均匀的逆导型IGBT，其特征在于，所述发射极结构包括P型阱区（31）、N+发射极区（32）、P+体接触区（33）和发射极金属（34）；

所述的P型阱区（31）的其中一侧连接在所述耐压层结构上，所述的N+发射极区（32）和P+体接触区（33）之间相互接触，且N+发射极区（32）和P+体接触区（33）的其中一侧均连接在所述P型阱区（31）的另一侧；

所述发射极金属（34）的其中一侧引出发射极（E），另一侧同时连接在所述N+发射极区（32）和P+体接触区（33）上。

5.根据权利要求4所述一种反向电流分布均匀的逆导型IGBT，其特征在于，所述栅极结构包括沟槽栅，所述的沟槽栅由第二绝缘介质层（41）、导电材料层（42）和栅极金属（43）构成，所述的导电材料层（42）设于第二绝缘介质层（41）之中，所述的栅极金属（43）设于导电材料层（42）上，且引出有栅极（G）。

6.根据权利要求5所述一种反向电流分布均匀的逆导型IGBT，其特征在于，所述第二绝缘介质层（41）的其中一侧垂直贯穿所述的P型阱区（31）且与P型阱区（31）和N+型发射极区（32）的接触。

7.根据权利要求6所述一种反向电流分布均匀的逆导型IGBT，其特征在于，所述耐压层结构包括N型漂移区（21）；所述N型漂移区（21）与所述的第二绝缘介质层（41）和P型阱区（31）接触。