[发明专利]一种IGBT器件的制造方法及结构在审
| 申请号： | 202210475742.4 | 申请日： | 2022-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN114937596A | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 曹功勋;郎金荣;刘建华 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种IGBT器件的制造方法及结构，所述方法包括：提供衬底，衬底包括有源区、过渡区及终端区，且包括相对的第一主面及第二主面；对过渡区与终端区的第一主面进行第一离子注入形成横跨过渡区与终端区的掺杂终端层，并对终端区的边缘进行第二离子注入形成截止环，随后进行热过程推进处理；对终端区的第一主面进行刻蚀，形成连通掺杂终端层和截止环的沟槽，在沟槽中形成场氧化层；对第一主面进行第二离子普注，形成载流子存储掺杂区，随后进行热过程推进处理；形成正面结构和背面结构。本发明制作有源区中载流子存储掺杂区时可以进行普注，不需要掩膜版，从而节约制造成本，同时避免载流子存储层对IGBT的耐压造成大的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 器件 制造 方法 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海积塔半导体有限公司，未经上海积塔半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210475742.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
