[发明专利]一种基于MEMS工艺的薄膜压电微变形镜及其制作方法

摘要

本发明公开了一种基于MEMS工艺的薄膜压电微变形镜，包括SOI基板、Ti粘结层、Pt下电极、PZT压电薄膜、Al顶部电极、SiO2活性层以及Al镜面，所述Ti粘结层位于SOI基板的顶部，Pt下电极位于Ti粘结层的顶部，PZT压电薄膜位于Pt下电极的顶部，Al顶部电极位于PZT压电薄膜的顶部，所述SiO2活性层位于Ti粘结层的底部，Al镜面位于SiO2活性层的底部，且SiO2活性层以及Al镜面位于SOI基板内。本发明通过设计变形镜上下电极、压电薄膜和基板等结构的材料以及尺寸参数，并选取合适的MEMS技术制备变形镜，降低制作难度与成本，实现变形镜的小型化与批量化制作；同时，制备的压电薄膜厚度足够小，能够使变形镜实现低电压驱动且具有较大行程。