[发明专利]一种在eMMC测试中精准注入VDT的方法、存储介质及电子设备在审
| 申请号： | 202210474231.0 | 申请日： | 2022-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN114822667A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 孙成思;孙日欣;何阳;李新春 | 申请（专利权）人： | 深圳佰维存储科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/12 | 分类号： | G11C29/12;G11C29/56 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 欧阳燕明 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道平山社区留仙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在eMMC测试中精准注入VDT的方法、存储介质即电子设备，将注入VDT的命令嵌入对eMMC芯片的读写命令的数据传输过程中执行。可以看出，本发明通过将注入VDT的命令嵌入对eMMC芯片的读写命令的数据传输过程中执行，从而能够保证电压波动发生在eMMC芯片读写的过程中，无需过多的循环测试，能够提高测试的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 emmc 测试 精准 注入 vdt 方法 存储 介质 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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