[发明专利]一种在eMMC测试中精准注入VDT的方法、存储介质及电子设备在审
| 申请号： | 202210474231.0 | 申请日： | 2022-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN114822667A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 孙成思;孙日欣;何阳;李新春 | 申请（专利权）人： | 深圳佰维存储科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/12 | 分类号： | G11C29/12;G11C29/56 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 欧阳燕明 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道平山社区留仙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 emmc 测试 精准 注入 vdt 方法 存储 介质 电子设备 | ||
1.一种在eMMC测试中精准注入VDT的方法，其特征在于，将注入VDT的命令嵌入对eMMC芯片的读写命令的数据传输过程中执行。
2.根据权利要求1所述的一种在eMMC测试中精准注入VDT的方法，其特征在于，具体包括步骤：
步骤S1，发送读或写数据命令给eMMC芯片，在收到读或写数据命令应答后向eMMC芯片发送或读取数据；
步骤S2，注入VDT；
步骤S3，数据传输完成，发送停止传输命令给eMMC芯片。
3.根据权利要求2所述的一种在eMMC测试中精准注入VDT的方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括：
调用预先构建好的函数，给定参数以注入VDT。
4.根据权利要求3所述的一种在eMMC测试中精准注入VDT的方法，其特征在于，给定参数具体包括电压的波动范围。
5.根据权利要求4所述的一种在eMMC测试中精准注入VDT的方法，其特征在于，所述预先构建的函数包括，调整VCC和/或VCCQ至第一设定电压并保持第一设定时间，之后调整VCC和/VCCQ至第二设定电压并保持第二设定时间。
6.根据权利要求2所述的一种在eMMC测试中精准注入VDT的方法，其特征在于，还包括：
步骤S0，将eMMC的供电VCC设置为第一设定值，将eMMC的供电VCCQ设置为第二设定值，并对eMMC执行初始化。
7.根据权利要求2所述的一种在eMMC测试中精准注入VDT的方法，其特征在于，所述步骤S2中，注入VDT的命令通过IIC协议发送给PMIC，由PMIC执行。
8.一种存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7任一项所述的一种在eMMC测试中精准注入VDT的方法中的各个步骤。
9.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至7任一项所述的一种在eMMC测试中精准注入VDT的方法中的各个步骤。
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