[发明专利]一种在eMMC测试中精准注入VDT的方法、存储介质及电子设备在审

专利信息
申请号: 202210474231.0 申请日: 2022-04-29
公开(公告)号: CN114822667A 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 孙成思;孙日欣;何阳;李新春 申请(专利权)人: 深圳佰维存储科技股份有限公司
主分类号: G11C29/12 分类号: G11C29/12;G11C29/56
代理公司: 深圳市博锐专利事务所 44275 代理人: 欧阳燕明
地址: 518000 广东省深圳市南山区桃源街道平山社区留仙*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 emmc 测试 精准 注入 vdt 方法 存储 介质 电子设备
【说明书】:

发明公开了一种在eMMC测试中精准注入VDT的方法、存储介质即电子设备,将注入VDT的命令嵌入对eMMC芯片的读写命令的数据传输过程中执行。可以看出,本发明通过将注入VDT的命令嵌入对eMMC芯片的读写命令的数据传输过程中执行,从而能够保证电压波动发生在eMMC芯片读写的过程中,无需过多的循环测试,能够提高测试的效率。

技术领域

本发明涉及芯片测试技术领域,特别涉及一种在eMMC测试中精准注入VDT的方法、存储介质及电子设备。

背景技术

随着技术的发展,现在eMMC的应用场景不仅包括移动电话设备,也包括类似智能穿戴,机顶盒等家用电器,以及车载控制系统等。客户不仅对于存储设备的性能和功耗要求越来越高,类似汽车这种应用更是对存储设备的数据可靠性提出了更为严苛的标准。

因此存储厂商需要更加关注eMMC在异常供电状态下数据的可靠性和固件的健壮性,除了异常掉电之外,供电不稳定的情况在使用过程中也有一定概率会发生,eMMC制造商在研发测试阶段需要去构建类似场景的用例,以提高产品在极端情况下的表现。

但现有技术中基于Linux uboot/kernel开发的驱动级的eMMC测试用例中,通常是在设定时间,例如测试开始后10S后对eMMC注入VDT(Voltage Detect,电压波动),这就导致在注入电压波动时,eMMC芯片未必处于读写或其他工作状态中,不能很好的反应电压波动对eMMC工作的影响,导致往往需要循环测试许多次,以保证电压波动发生在eMMC工作状态中,导致耗费大量时间才能完成对eMMC芯片的测试。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是:提供一种在eMMC测试中精准注入VDT的方法、存储介质及设备,能实现在eMMC芯片测试中精准注入VDT。

为了解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:

一种在eMMC测试中精准注入VDT的方法,将注入VDT的命令嵌入对eMMC芯片的读写命令的数据传输过程中执行。

为了解决上述技术问题,本发明采用的另一种技术方案为:

一种存储介质,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如上所述的一种在eMMC测试中精准注入VDT的方法中的各个步骤。

为了解决上述技术问题,本发明采用的另一种技术方案为:

一种电子设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现如上所述的一种在eMMC测试中精准注入VDT的方法中的各个步骤。

本发明的有益效果在于:其通过将注入VDT的命令嵌入对eMMC芯片的读写命令的数据传输过程中执行,从而能够保证电压波动发生在eMMC芯片读写的过程中,无需过多的循环测试,能够提高测试的效率。

附图说明

图1为本发明实施例的一种在eMMC测试中精准注入VDT的方法的流程示意图;

图2为本发明涉及的IIC数据传输格式;

图3为本发明实施例涉及的电压波动波形图;

图4为本发明实施例的一种电子设备的结构示意图。

具体实施方式

为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果,以下结合实施方式并配合附图予以说明。

请参照图1,一种在eMMC测试中精准注入VDT的方法,将注入VDT的命令嵌入对eMMC芯片的读写命令的数据传输过程中执行。

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