[发明专利]集成电路器件在审

专利信息
申请号: 202210471876.9 申请日: 2022-04-29
公开(公告)号: CN115566050A 公开(公告)日: 2023-01-03
发明(设计)人: 李商文;金真范;金孝珍;南勇准;郑秀珍 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L29/15 分类号: H01L29/15;H01L29/78;H01L27/088;H01L29/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张波
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种集成电路(IC)器件包括在衬底上在第一横向方向上延伸的鳍型有源区。栅极线在鳍型有源区上在第二横向方向上延伸。第二横向方向与第一横向方向交叉。沟道区在衬底和栅极线之间。源极/漏极区在鳍型有源区上与栅极线相邻,并具有面对沟道区的侧壁。超晶格阻挡物在衬底和沟道区之间。超晶格阻挡物与源极/漏极区接触。超晶格阻挡物具有包括掺有氧原子的半导体层的多个第一子层和包括未掺杂的半导体层的多个第二子层被交替堆叠的结构。
搜索关键词: 集成电路 器件
【主权项】:
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