[发明专利]绝缘栅型半导体器件驱动电路在审
申请号: | 202210470879.0 | 申请日: | 2017-12-25 |
公开(公告)号: | CN114825875A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 森贵浩 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088;H02M7/48;H03K17/56 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 熊风;张鑫 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种绝缘栅型半导体器件驱动电路,用于提供驱动例如X相的绝缘栅型半导体器件即IGBT(1)的栅极的充放电电流,其包括:采用电流镜方式来驱动IGBT(1)的恒流生成部(11)、根据驱动信号将注入到IGBT(1)的栅极的电荷释放出的放电电路(13)、以及经由缓冲器(6)向放电电路(13)提供驱动信号并且经由电平移位电路(7)向PMOS晶体管(3)的栅极输入驱动信号从而切换绝缘栅型半导体器件的栅极的充电/放电的切换电路(12)。 | ||
搜索关键词: | 绝缘 半导体器件 驱动 电路 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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