[发明专利]绝缘栅型半导体器件驱动电路在审

专利信息
申请号: 202210470879.0 申请日: 2017-12-25
公开(公告)号: CN114825875A 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 森贵浩 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088;H02M7/48;H03K17/56
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 熊风;张鑫
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 绝缘 半导体器件 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种绝缘栅型半导体器件驱动电路,向绝缘栅型半导体器件的栅极提供驱动电流,使所述绝缘栅型半导体器件进行动作,其特征在于,包括:

恒流生成部,该恒流生成部具备源极与电源线连接且构成电流镜的第一晶体管和第二晶体管、与成为所述电流镜的输入部的所述第一晶体管的漏极连接且通过对参考值调整电阻施加基准电压来生成恒定电流的恒流电路、及调整所述参考值调整电阻的电阻值的电阻值校正电路,所述恒流生成部将成为所述电流镜的输出部的所述第二晶体管的漏极与所述绝缘栅型半导体器件的栅极连接;以及

放电电路,该放电电路通过向第三晶体管的栅极输入驱动信号,将注入到所述绝缘栅型半导体器件的栅极的电流释放出,

而且,所述放电电路利用MOS尺寸校正电路对所述第三晶体管的MOS尺寸进行校正,调整从所述绝缘栅型半导体器件的栅极经由所述第三晶体管的漏极-源极流入接地线的电流量,

所述电阻值校正电路具有将多个由MOS晶体管和调整电阻构成的串联电路并联连接而形成的并联电路,向多个所述串联电路的所述MOS晶体管各自的栅极输入从PROM输出的信号,使所述MOS晶体管导通/截止,并将由此得到的所述并联电路的合成电阻作为所述参考值调整电阻。

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